专利摘要显示，本发现公然了一种泛半导体铝合金真空腔体搅拌摩擦焊接造备门径，属于真空镀膜筑立创设身手范围。征求如下工艺步伐：(1)侧板组装；(2)侧板焊接；(3)侧板加工；(4) 底板组装；(5)底板焊接；(6)底板加工；(7)退火；(8)腔体加工。本发现使得真空腔体焊策应力裁减，进步了板滞加工的精度，低浸了创设大型腔体时因密封槽有气孔实行返修的不妨性。搅拌摩擦焊焊接大型腔体时操作职员能够与腔体仍旧必定隔绝，比拟氩弧焊焊接要加倍安适，环保无污染，难度更低。